| 品牌：美国Anric | 是否进口：是 | 型号：AT-610 |
| 是否支持加工定制：否 | 电源：220 | 腔体尺寸：150mm(6英寸) |
| 腔体温度范围：室温~315℃ | 前体温度范围：~150℃±2℃（可选择加热套） | 前驱体数：一次可处理5个ALD前体源 |
| 控制系统：PLC控制，7英寸触摸屏 | 压力控制范围：0.1~1.5 Torr |
Atomic Layer Deposition
原子层沉积系统
AT410/AT610系列
美国原装进ALD原子层沉积系统常被应用在各类半导体处理工艺领域，通过原子层沉积来制备薄膜，由于ALD 沉积系统价格昂贵，而望而却步。因此，本系统致力于以低廉合理的成本在小型尺寸（4~6英寸以内）上沉积出***的薄膜。
应用范围：
原子层沉积系统是专门为科研和工业小型化量产用户而设计的单片/多片沉积系统。AT410/AT610
系统电气完全符合CE标准，广泛应用于微电子、纳米材料、光学薄膜、太阳能电池等领域。可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。
可处理的材料：
技术参数：
型号：AT-410/AT-610
腔体直径：100mm（4英寸）/150mm（6英寸）
腔体温度范围：室温~ 315℃
前体温度范围：~150℃±2℃（可选择加热套）
前驱体数：一次可处理5个ALD前体源 金属密封措施:金属完全密封，样品上没有大气污染物，沉积区无Elestamor O型圈出现；
样品上载方式：样品安装便捷，将样品夹具从侧面拉出上载即可；
PLC控制系统：7英寸，16 位彩色触摸屏HMI；
压力控制：模拟压力控制器，用于快速压力检测和脉冲监测，压力控制范围0.1~1.5Torr；
快速处理：交叉流优化腔体设计，氧化铝催化剂处理能力：6-10次/分钟或高达1.2nm/分钟；
高纵横比沉积：具有良好的共形性，曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性，预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方。
