| 品牌：美国Anric | 前级泵：10 | 加热方式：普通标准加热 |
| 外形尺寸：桌面式 | 外包材质：纸盒 | 基准温度：25 |
| 漏率：小于1.0E-8Pa.m3/s | 发货地：武汉 | 型号：AT-410 |
| 产地：美国(***) | 起订量：1套起批 |
原子层沉积（Atomic layer deposition）是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之***层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和*性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括：
1）晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）
2）微电子机械系统（MEMS）
3）光电子材料和器件
4）集成电路互连线扩散阻挡层
5）平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）
6）互连线势垒层
7）互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）
8）DRAM、MRAM介电层
9）嵌入式电容
10）电磁记录磁头
11）各类薄膜（<100nm）
基片尺寸：4英寸、6英寸；
加热温度：25℃~350℃；
温度均匀性：±1℃；
前体温度范围：从室温至150℃，±2℃，可选择加热套；
前驱体数：一次同时可处理多达5个ALD前体源；
PLC控制系统：7英寸16位彩色触摸屏HMI控制；
模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测；
样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；
压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr；
两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；
在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无Elestamor O型圈出现；
氧化铝催化剂处理能力：6-10次/分钟或高达1.2纳米/分钟（同类zui佳）；
高纵横比沉积，具有良好的共形性
曝光控制，用于在3D结构上实现所需的共形性；
预置有经验证过的3D和2D沉积的优化配方；
简单便捷的系统维护及安全联锁；
目前市面上占地zui小，可兼容各类洁净室要求的系统；
可以为非标准样品而订制的夹具，如SEM / TEM短截线；
1) High-K介电材料(Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2)导电门电极(Ir, Pt, Ru, TiN)；
3)金属互联结构(Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4)催化材料(Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5)纳米结构(All ALD Material)；
6)生物医学涂层(TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金属(Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8)压电层(ZnO, AlN, ZnS)；
9)透明电学导体(ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻挡层(ZnO, TiO2);
11) OLED钝化层(Al2O3);
12)光子晶体(ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射滤光片(Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14)电致发光器件(SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等(Al2O3, ZrO2);
16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等(AlTiO, SnO2, ZnO);
17)传感器(SnO2, Ta2O5);
18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层(Al2O3, ZrO2, WS2)；
1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4）金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6）复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
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