品牌:PlasmaSTAR | 是否进口:是 | 型号:PlasmaStar 200/PlasmaStar 200 |
是否支持加工定制:否 | 材质:硬质阳极氧化铝矩形腔体 | 射频频率:13.56 MHz |
射频功率:0~1000W瓦之间距连续可调,自动匹配 | 工艺气体:标配2路MFC,最多可选配5路 | 控制系统:7英寸触摸屏操作界面 |
程序控制:PC触屏控制,可编程序,无线存储数据 | 设备尺寸:宽1033 x 深850 x 高635mm |
PlasmaSTAR系列等离子处理系统适合处理所有的材料,拥有多种腔室和电极配置,可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小,用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外,触摸屏计算机控制,多级程序控制和组件控制,操作简单。PlasmaSTAR模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝, 有几种不同的电极设计,包括用于反应离子刻蚀(RIE)和平面处理的水冷平板电极,用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极,用于最小化离子损伤的下游电极,和用于普通的圆柱形笼式电极。
1、腔体尺寸:PlasmaStar 200 宽305×高305×深406mm;PlasmaStar 200RIE 宽305 ×高200×深406mm;
2、腔体材质:硬质阳极氧化铝矩形腔体;
3、处理腔背面材质:铝;
4、处理腔门:要求全自动腔门;
5、标配2路MFC工艺气体,PlasmaStar200最多可选配5路,流量控制器控制气体流量,气体输入腔室带匀流设计;
6、射频功率:0~1000W瓦之间距连续可调,自动匹配,自然风冷;7、标准圆柱形笼式电极,可选交替多层托盘电极,可选RIE平面处理水冷平板电极;
8、7英寸及以上显示器、触摸屏、图形用户界面;
9、程序控制:触摸屏电脑控制,无线程序存储;
10、Windows操作系统,兼容Windows office软件,USB接口,可进行外部电脑远程控制的功能;
11、状态和出错信息提示,过程数据和出错信息存储,可选择自动和手动操作模式,过程数据可以导出,工艺参数以图形方式呈现,可实时监控,自动实现泄露检测;
12、配套紧急急停按钮(EMO),配套电路断路器,机械联锁(门传感器)和真空联锁(压力开关),通过软件可进行远程的真空联锁;
13、典型的光刻胶刻蚀速率:80nm/min;
14、典型工艺均匀性:≥±10%;