| 是否进口：否 | 加工定制：否 | 品牌：美国ANRIC |
| 型号：AT-600 |
应用领域
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括：
1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）
2） 微电子机械系统（MEMS）
3） 光电子材料和器件
4） 集成电路互连线扩散阻挡层
5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）
6） 互连线势垒层
7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）
8） DRAM、MRAM介电层
9） 嵌入式电容
10） 电磁记录磁头
11） 各类薄膜（<100nm）
技术参数：
基片尺寸：4英寸、6英寸；
加热温度：25℃~350℃；
温度均匀性：±1℃；
前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；
前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；
PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏HMI控制；
模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测
样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；
压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr
两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；
在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现;
氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟（同类zui佳）
高纵横比沉积，具有良好的共形性
曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；
预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；
简单便捷的系统维护及安全联锁；
目前市面上占地zui小，可兼容各类洁净室要求的系统；
可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线
原子层沉积ALD的应用包括：
1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5)纳米结构 (All ALD Material)；
6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；
9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2);
11) OLED钝化层 (Al2O3);
12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2);
16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17)传感器 (SnO2, Ta2O5);
18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；
目前可以沉积的材料包括：
1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4）金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6）复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
